實(shí)用性:
兼容:兼容MoNb/MTD/Ti等膜層。
便捷:一劑型,使用過(guò)程無(wú)需補(bǔ)液。
穩(wěn)定:壽命期間特性數(shù)據(jù)浮動(dòng)小。
經(jīng)濟(jì)性:原料國(guó)產(chǎn)化。
安全性:壽命終點(diǎn)狀態(tài)下可保持48h無(wú)升溫。
高壽命:將原5000ppm銅離子壽命提升至7000ppm,藥液用量降低 29%。
Gate/ITO一步刻蝕:實(shí)現(xiàn)銅/ITO一步刻蝕,釋放ITO刻蝕設(shè)備產(chǎn)能。
NW工藝:用濕法蝕刻N(yùn)+Asi替代干刻,釋放干刻產(chǎn)能。
開發(fā)、生產(chǎn)濕制程電子化學(xué)品及封裝材料
和其他電子行業(yè)特種功能性材料