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技術(shù)優(yōu)勢(shì)

實(shí)用性:

兼容:兼容MoNb/MTD/Ti等膜層。

便捷:一劑型,使用過(guò)程無(wú)需補(bǔ)液。

穩(wěn)定:壽命期間特性數(shù)據(jù)浮動(dòng)小。

經(jīng)濟(jì)性:原料國(guó)產(chǎn)化。

安全性:壽命終點(diǎn)狀態(tài)下可保持48h無(wú)升溫。



技術(shù)儲(chǔ)備

高壽命:將原5000ppm銅離子壽命提升至7000ppm,藥液用量降低 29%。

Gate/ITO一步刻蝕:實(shí)現(xiàn)銅/ITO一步刻蝕,釋放ITO刻蝕設(shè)備產(chǎn)能。

NW工藝:用濕法蝕刻N(yùn)+Asi替代干刻,釋放干刻產(chǎn)能。




開發(fā)、生產(chǎn)濕制程電子化學(xué)品及封裝材料

和其他電子行業(yè)特種功能性材料

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